%0 Journal Article
%T Luminescence characteristics and crystallographic sites of Ce3+ in LiBaBO3<br>Ce3+在LiBaBO3中的发光特性及晶体学格位
%A Li Pan-Lai
%A Wang Zhi-Jun
%A Wang Ying
%A Yang Zhi-Ping
%A Guo Qing-Lin
%A Li Xu
%A Yang Yan-Min
%A Fu Guang-Sheng
%A <br>李盼来
%A 王志军
%A 王颖
%A 杨志平
%A 郭庆林
%A 李旭
%A 杨艳民
%A 傅广生
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 采用固相法制备了LiBaBO3：Ce3+发光材料.测得LiBaBO3：Ce3+材料的发射光谱为一不对称的单峰宽谱，主峰位于440 nm；监测440 nm发射峰，可得其激发光谱为一主峰位于370 nm的宽谱.利用van Uitert公式计算了Ce3+取代LiBaBO3中Ba2+时所占晶体学格位，得出438 nm发射带归属于九配位的Ce3+发射，而469 nm发射带起源于八配位的Ce3+发射.研究了Ce3+浓度对LiBaBO3：Ce3+材料发光强度的影响，结果显示，随Ce3+浓度的增大，发光强度呈现先增大后减小的趋势，Ce3+浓度为3mol%时强度最大，造成其浓度猝灭的原因为电偶极-偶极相互作用.引入Li+，Na+或K+可增强LiBaBO3：Ce3+材料的发射强度.利用InGaN管芯（370 nm）激发LiBaBO3：Ce3+材料，获得了很好的蓝白光发射，色坐标为（x=0.291，y=0.297）.
%K 白光发光二极管，
%K LiBaBO3：Ce3+，
%K 晶体学格位，
%K 发光特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=0AA3369BBD9C7B97204DFFA5DA945C18&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=5D311CA918CA9A03&sid=412D581C4F5F358B&eid=F42DB6E2B4CCC05C&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0