%0 Journal Article
%T An XPS study on the structure of SiNx film deposited by microwave ECR magnetron sputtering<br>微波ECR磁控溅射制备SiNx薄膜的XPS结构研究
%A Ding Wan-Yu
%A Xu Jun
%A Lu Wen-Qi
%A Deng Xin-Lu
%A Dong Chuang
%A <br>丁万昱
%A 徐军
%A 陆文琪
%A 邓新绿
%A 董闯
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 利用微波电子回旋共振等离子体增强非平衡磁控溅射法在不同N2流量下制备无氢SiNx薄膜.通过X光电子能谱、纳米硬度仪等表征技术，研究了不同N2流量下制备的SiNx薄膜的化学键结构、化学键含量、元素配比及各元素沿深度分布.研究结果表明，N2流量是影响SiNx薄膜化学键结构、元素配比、元素延深度分布等性质的主要因素.在N2
%K SiNx
%K magnetron sputtering
%K XPS
%K chemical bond structure<br>SiNx，
%K 磁控溅射，
%K XPS，
%K 化学键结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=E81D009F851A36A6F73D4AC3447C9E58&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=B31275AF3241DB2D&sid=A7C2766CB3C1669F&eid=143027507DE1AB21&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0