%0 Journal Article
%T Effect of hydrofluoric acid etching time on Ni/6H-SiC contacts<br>氢氟酸刻蚀对Ni/6H-SiC接触性质的作用
%A Huang Wei
%A Chen Zhi-Zhan
%A Chen Bo-Yuan
%A Zhang Jing-Yu
%A Yan Cheng-Feng
%A Xiao Bing
%A Shi Er-Wei
%A <br>黄维
%A 陈之战
%A 陈博源
%A 张静玉
%A 严成锋
%A 肖兵
%A 施尔畏
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 采用浓度为10%的氢氟酸（HF）刻蚀6H-SiC单晶片，研究了HF刻蚀时间对Ni/6H-SiC接触性质的影响．经24?h刻蚀的SiC基片在溅射Ni层后，其接触表现良好线性的电流-电压（I-V）曲线．低于这个腐蚀时间的接触具有明显的势垒，但在大于1000℃快速退火后，也得到了良好线性的I-V曲线．X射线衍射（XRD）和俄歇能谱（AES）深度元素分析表明Ni2Si和C是快速退火后的主要产物．XRD和低能反射电子能量损失谱表明表层的C
%K SiC<br>欧姆接触，
%K SiC，
%K 富碳层，
%K 互扩散
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=F7BCB895C61596E63CC03C532D3EB2DF&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=94C357A881DFC066&sid=5DC287FD320E5453&eid=5361DA1A3E3BC88A&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0