%0 Journal Article
%T Electronic structure in GaAs/AlxGa1-xAs spherical quantum dots<br>GaAs/AlxGa1-xAs球形量子点中的电子结构
%A Wang Chuan-Dao
%A <br>王传道
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 详细讨论了GaAs/AlxGa1-xAs球形量子点内的单电子束缚能级随量子点半径、Al组分以及外电场的变化规律，并计算了考虑量子点内外电子有效质量不同后对电子能级的修正. 另外，用解析和平面波展开两种方法对球形量子点内的电子能级进行了计算，并对计算结果做了比较，发现它们符合的很好. 结论和方法为量子点的研究和应用提供了有益的信息和指导.
%K spherical quantum dot
%K analytical method
%K plane wave method
%K effective mass<br>球形量子点，
%K 解析方法，
%K 平面波展开方法，
%K 有效质量
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=E941C08289CAAD2DBD6B08AD7E9C035C&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=0B39A22176CE99FB&sid=4B87E6790C4FD73D&eid=BE1F29C193C78397&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=31