%0 Journal Article
%T Reflectivity and phase shift of semiconductor far-infrared mirrors<br>半导体远红外反射镜中反射率和相位研究
%A Xu Min
%A Zhang Yue-Heng
%A Shen Wen-Zhong
%A <br>徐敏
%A 张月蘅
%A 沈文忠
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 以GaAs材料为例，研究了半导体远红外反射镜中的反射率和相位.通过拟合不同掺杂浓度下样品的远红外反射谱，得到了自由载流子的弛豫时间随掺杂浓度变化的经验公式，并把该规律应用到数值计算中.详细讨论了反射镜的结构和材料参数对反射率R和相位φ的影响.根据腔体内吸收率最高的判据得到了最优的反射镜的参数，并计算了这种优化后的反射镜的波长选择特性.最后，通过远红外反射光谱的测量，从实验上验证了这种反射镜的实际效果. 所得结论为半导体远红外器件中的反射镜设计提供了参考.
%K far-infrared mirror
%K reflectivity
%K phase<br>远红外反射镜
%K 反射率
%K 相位
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=2B2DC7C6846C014D&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=E158A972A605785F&sid=449F46B0E3CF6ED3&eid=19C6709C557F094B&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=18