%0 Journal Article
%T Preparation and characteristics of p-type ZnO by treated gaseous ammonia annealing<br>NH3气氛处理制备p型ZnO薄膜及性能表征
%A Tang Li-Dan
%A Zhang Yue
%A <br>唐立丹
%A 张跃
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 采用NH3气氛处理直流/射频共溅射方法制得的ZnO：Al薄膜，从而获得Al+N共掺p型ZnO薄膜.XRD，场发射扫描电子显微镜测试及Hall效应测试发现，处理温度对ZnO薄膜的结构和电学性能具有较大的影响，其中处理温度为700℃时，薄膜具有较好的c轴择优取向，并且薄膜表面平整，结构紧密，晶粒大小均匀，无明显空洞和裂缝，具有良好的表面质量，晶粒尺寸约为40—60nm，薄膜的导电类型由n型转变为p型.
%K p-type ZnO
%K Al+N codoping
%K RF/DC magnetron sputtering<br>p型ZnO，
%K Al+N共掺杂，
%K 直流/射频共溅射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=0C1689A40069E8891EA8E6784B01A15E&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=0B39A22176CE99FB&sid=F9AB8F3D624A89DB&eid=1529CB0C2A6A7E90&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=21