%0 Journal Article
%T Study of the electronic structure and the properties of p-type doping in Cd:O codoped AlN<br>Cd:O共掺杂AlN的电子结构和p型特性研究
%A Gao Xiao-Qi
%A Guo Zhi-You
%A Cao Dong-Xing
%A Zhang Yu-Fei
%A Sun Hui-Qing
%A Deng Bei
%A <br>高小奇
%A 郭志友
%A 曹东兴
%A 张宇飞
%A 孙慧卿
%A 邓贝
%J 物理学报
%D 2010
%I 
%X 为研究Cd：O共掺杂纤锌矿AlN的p型特性，进而揭示导致纤锌矿AlN空穴浓度增加的机理，对Cd：O共掺杂AlN进行了基于密度泛函理论的第一性原理研究.通过计算Cdn-O（n=1，2，3，4）复合体掺杂AlN的结合能，发现Cd：O在AlN中可以稳定存在，共掺杂提高了Cd在AlN中的固溶度.分析Cd和Cd2-O掺杂AlN体系的激活能，发现Cd2-O的激活能比Cd减小0.21 eV，表明Cd2-O的空穴浓度比单掺Cd大约提高
%K Cd：O共掺杂，
%K 纤锌矿AlN，
%K 电子结构，
%K p型掺杂特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=D35423DEA641E93FFD617E982F3C6ED9&yid=140ECF96957D60B2&vid=6AC2A205FBB0EF23&iid=94C357A881DFC066&sid=55BF33EFF67C392C&eid=05FB2EDFACF977CC&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=28