%0 Journal Article
%T 掺稀土元素(Y，La)的γ-Si3N4的电子结构和光学性质
%A 丁迎春
%A 向安平
%A 徐 明
%A 祝文军
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 采用基于密度泛函的平面赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA)，计算了未掺杂和掺杂稀土(Y，La)的γ-Si3N4中N-Y(La)键的布居值和它们的键长、掺杂后能带结构和态密度.发现掺杂后的带隙要减小，并且可能形成新的半导体，这将为找到新的半导体提供一个方向.还进一步研究了掺杂稀土(Y，La)后的光学性质，掺杂后有更高的静态介电常数，可以作为新的介电材料和好的折射材料，这对于一定的光学元件有潜在的应用前景.
%K γ-Si3N4，
%K 掺杂，
%K 电子结构，
%K 光学性质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=2C9ECCCD2B90E869&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=F52D066D90A52715&eid=EF3B270A91F3DAF3&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=18