%0 Journal Article
%T Composition and crystal structure of N doped TiO2 film deposited with different O2 flow rates<br>O2流量对磁控溅射N掺杂TiO2薄膜成分及晶体结构的影响
%A Ding Wan-Yu
%A Wang Hua-Lin
%A Ju Dong-Ying
%A Chai Wei-Ping
%A <br>丁万昱
%A 王华林
%A 巨东英
%A 柴卫平
%J 物理学报
%D 2011
%I 
%X 利用直流脉冲磁控溅射方法在室温下通过改变O2流量制备具有不同晶体结构的N掺杂TiO2薄膜,利用台阶仪、X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等设备对薄膜沉积速率、化学成分、晶体结构、禁带宽度等进行分析.结果表明:所制备的薄膜元素配比约为TiO1.68±0.06N0.11±0.01,N为替位掺杂,所有样品退火前后均未形成Ti—N相结构,N掺杂TiO2薄膜的沉积速率、晶体结构等主要依赖于O2流量.在O2流量为2 sccm时,N掺杂TiO2薄膜沉积速率相对较高,薄膜为非晶态结构,但薄膜内含有锐钛矿(anatase)和金红石(rutile)相晶核,退火后薄膜呈anatase和rutile相混合结构,禁带宽度仅为2.86 eV.随着O2流量的增加,薄膜沉积速率单调下降,退火后样品禁带宽度逐渐增加.当O2流量为12 sccm时,薄膜为anatase相择优生长,退火后呈anatase相结构,禁带宽度为3.2 eV.综合本实验的分析结果,要在室温条件下制备晶态N掺杂TiO2薄膜,需在高O2流量(＞10 sccn)条件下制备.
%K N doped TiO2 film
%K magnetron sputtering
%K chemical stiochiometry
%K crystal structure<br>N掺杂TiO2薄膜
%K 磁控溅射
%K 化学配比
%K 晶体结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=D22BEBD0E0C576B57F98754100A548B6&yid=9377ED8094509821&vid=BFE7933E5EEA150D&iid=0B39A22176CE99FB&sid=1F1D08A2CE56840A&eid=1F1D08A2CE56840A&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=30