%0 Journal Article
%T Subband electron properties of InGaAs/InAlAs high-electron-mobility transistors with different channel chickness<br>不同量子阱宽度的InP基In0.53GaAs/In0.52AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究
%A Gao Hong-Ling
%A Li Dong-Lin
%A Zhou Wen-Zheng
%A Shang Li-Yan
%A Wang Bao-Qiang
%A Zhu Zhan-Ping
%A Zeng Yi-Ping
%A <br>高宏玲
%A 李东临
%A 周文政
%A 商丽燕
%A 王宝强
%A 朱战平
%A 曾一平
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 用Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应，研究了在1.4 K下不同量子阱宽度(10—35 nm)的InP基高电子迁移率晶体管材料的二维电子气特性.通过对纵向电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析，得到不同阱宽时量子阱中二维电子气各子带电子浓度和量子迁移率.研究发现，在Si掺杂浓度一定时，阱宽的改变对于量子阱中总的载流子浓度改变不大，但是随着阱宽的增加，阱中的电子从占据一个子带到占据两个子带，且第二子带上的载流子迁移率远大于第一子带迁移率.当量子阱宽度为20 nm时，处在第二子能级上的电子数与处在
%K channel thickness
%K two_dimensional electron gas
%K Shubnikov-de Haas oscillations
%K high electron mobility transistor<br>量子阱宽
%K 二维电子气
%K Shubnikov-de
%K Haas振荡
%K 高电子迁移率晶体管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=721FD979EEA0923B&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=5D311CA918CA9A03&sid=959D1905C7FFD3F7&eid=05850CA90991B4DF&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=16