%0 Journal Article
%T Thermal stability of electrical characteristics of nickel silicide metal gate<br>NiSi金属栅电学特性的热稳定性研究
%A Shan Xiao-Nan
%A Huang Ru
%A Li Yan
%A Cai Yi-Mao
%A <br>单晓楠
%A 黄如
%A 李炎
%A 蔡一茂
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 研究了NiSi金属栅的各种电学特性及其热稳定性，提出一个物理模型用于解释当形成温度大于500 ℃时NiSi功函数随退火温度升高而增大的现象.测量了不同退火温度形成的NiSi材料的方块电阻，当退火温度大于400 ℃时，方块电阻达到最小，并在400—600 ℃范围内稳定.比较各种温度下形成的NiSi材料X射线衍射谱的变化，说明温度在400—600 ℃范围内NiSi相为最主要的成分.制备了以NiSi为金属栅的金属氧化物半导体电容.通过等效氧化层电荷密度及击穿电场Ebd的分布研
%K Nisi<br>金属栅
%K 炉退火
%K 快速热退火
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=DA9DDB2C7149960F&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=5D311CA918CA9A03&sid=ABA8C48B08C34FB3&eid=0939A47C3E4E2FF2&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=13