%0 Journal Article
%T Curie-temperature modulation by polarization-induced built-in electric fields in Mn δ-doped GaN/AlGaN quantum wells<br>极化诱导的内建电场对Mnδ掺杂的GaN/AlGaN量子阱居里温度的调制
%A Shen Ye
%A Xing Huai-Zhong
%A Yu Jian-Guo
%A Mao Hui-Bing
%A Wang Ji-Qing
%A <br>申晔
%A 邢怀中
%A 俞建国
%A 吕斌
%A 茅惠兵
%A 王基庆
%A Shen Ye
%A Xing Huai-Zhong
%A Yu Jian-Guo
%A Lü Bin
%A Mao Hui-Bing
%A Wang Ji-Qing
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 采用传输矩阵方法分析极化诱导的内建电场对Mn δ掺杂的GaN/AlxGa1-xN量子阱居里温度(TC)的调制作用.通过解薛定谔方程计算出在不同的内建电场条件下半导体量子阱局域态内的基态空穴能级和波函数分布情况，并在此基础上确定量子阱内Mn δ掺杂情况下TC随内建电场的变化趋势，分析了不同量子阱结构引起的内建电场分布变化及其对TC的影响.在耦合双量子阱中通过调节左右阱的不对称性可以得到TC近3倍的增长.
%K GaN<br>量子阱
%K 内建电场
%K 居里温度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=CE8FF0AD2C905A8F&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=44C740E4B8B8A978&eid=9292CA3ABBD95F8C&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=23