%0 Journal Article
%T 外磁场对(Ga，Mn)As有效g因子的影响
%A 周蓉
%A 孙宝权
%A 阮学忠
%A 甘华东
%A 姬扬
%A 王玮竹
%A 赵建华
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 利用时间分辨Kerr旋光技术测量低温下稀磁半导体Ga0.937Mn0.063As中光注入极化载流子的自旋进动信号，并观察到自旋极化载流子的有效g因子值随外磁场的增强而增大的反常现象.这归结于磁场导致局域化空穴转化为非局域化空穴，从而使自发磁化强度增强，有效g因子值增大.基于此物理图像，进一步给出了(Ga，Mn)As的有效g因子与外磁场的关系式.
%K 时间分辨Kerr旋光测量，
%K Zeeman效应，
%K Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=A23800940E9EDC3806E56CB422458275&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=5D311CA918CA9A03&sid=7BFB256BF82377DD&eid=DD49483EE73E008F&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0