%0 Journal Article
%T An optical emission spectroscopy study on the high rate growth of microcrystalline silicon films<br>高速沉积微晶硅薄膜光发射谱的研究
%A Han Xiao-Yan
%A Geng Xin-Hu
%A Hou Guo-Fu
%A Zhang Xiao-Dan
%A Li Gui-Jun
%A Yuan Yu-Jie
%A Wei Chang-Chun
%A Sun Jian
%A Zhang De-Kun
%A Zhao Ying
%A <br>韩晓艳
%A 耿新华
%A 侯国付
%A 张晓丹
%A 李贵君
%A 袁育杰
%A 魏长春
%A 孙建
%A 张德坤
%A 赵颖
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 采用PR650光谱光度计对高速沉积微晶硅薄膜的生长过程进行了在线监测研究，并对所对应的材料进行了Raman谱和红外吸收谱(FTIR)的测试.结果表明：能反映材料晶化程度的I［SiH*］/I［Hβ*］比值在沉积时间为100 s之内有下降的趋势，且反应气体总流量Tfl越小下降趋势越明显，这与拉曼散射光谱对材料的结构测试结果一致；沉积5 min时I
%K high rate growth
%K microcrystalline silicon thin films
%K electron temperature<br>高速沉积
%K 微晶硅薄膜
%K 电子温度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=6994E265DA312621B3389569D678ACF8&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=0B39A22176CE99FB&sid=D8AEABAD4F3221BE&eid=AFB21040E5F48417&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=18