%0 Journal Article
%T Ⅲ族元素掺杂对SnO2电子结构及电学性能的影响
%A 杜 娟
%A 季振国
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 采用密度泛函理论研究了Ⅲ族元素掺杂对SnO2电子结构及电学性能的影响.态密度分析结果表明，以替代位存在的Ⅲ族杂质均使SnO2的费米能级明显向低能态方向移动，使得价带顶不完全填满，因此在SnO2中均充当受主作用.部分态密度分析结果表明，相对于掺Al的SnO2，Ⅲ族元素中的Ga及In对费米能级附近态密度贡献较大，其主要贡献来自Ga3d态或In4d态，这预示着在SnO2中掺Ga或In能实现更好的p型掺杂效果.电离能计算结果进一步表明，在Al，Ga及In三种元素中，替位In有最小的电离能(0.06 eV)，这说明其在SnO2中能形成最浅的受主能级，因而在同等掺杂情况下，可引入最高浓度的空穴，从而实现最佳的p型掺杂效果.
%K 密度泛函理论
%K SnO2
%K Ⅲ族元素掺杂
%K 电子结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=3CF59232C3044D92&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=E158A972A605785F&sid=CE8FFD75A1883F19&eid=2C7DEF17DECCFDF3&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=12