%0 Journal Article
%T Effects of annealing of r-cut sapphire substrate on its surface morphology and the growth of CeO2 buffer layers and the Tl-2212 superconducting films<br>高温退火对蓝宝石基片的表面形貌和对CeO2缓冲层以及Tl-2212超导薄膜生长的影响
%A Xie Qing-Lian
%A Yan Shao-Lin
%A Zhao Xin-Jie
%A Fang Lan
%A Ji Lu
%A Zhang Yu-Ting
%A You Shi-Tou
%A Li Jia-Lei
%A Zhang Xu
%A Zhou Tie-Ge
%A Zuo Tao
%A Yue Hong-Wei
%A <br>谢清连
%A 阎少林
%A 赵新杰
%A 方 兰
%A 季 鲁
%A 张玉婷
%A 游石头
%A 李加蕾
%A 张 旭
%A 周铁戈
%A 左 涛
%A 岳宏卫
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 研究了蓝宝石(1102)基片在不同温度和时间下退火时表面形貌和表面相结构的变化，以及它对CeO2缓冲层和Tl-2212超导薄膜生长的影响.原子力显微镜(AFM)研究表明，在流动氧环境中1000℃温度下退火，蓝宝石(1102)的表面首先局部区域形成台阶结构，然后表面形成叠层台阶结构，随着退火时间的延长，表面发生了台阶合并现象，表面形貌最终演化为稳定的具有光滑平台的宽台阶结构.XRD测试表明，通过高温热处理可以大幅度提高蓝宝石基片表面结构的完整性.在1000℃温度下热处理20 h的蓝宝石
%K Tl-2212 superconducting thin film
%K r-cut sapphire
%K buffer layer<br>Tl-2212超导薄膜，
%K 蓝宝石，
%K 缓冲层
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=020760B6EC90AE3EF5CBC629D990C939&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=89389F643CA3F778&eid=20C3B205768D55E0&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=18