%0 Journal Article
%T "Black silicon" antireflection thin film prepared by electrochemical etching<br>电化学制备薄黑硅抗反射膜
%A Liu Guang-You
%A Tan Xing-Wen
%A Yao Jin-Cai
%A Wang Zhen
%A Xiong Zu-Hong
%A <br>刘光友
%A 谭兴文
%A 姚金才
%A 王 振
%A 熊祖洪
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 采用计算机控制电流密度按指数规律衰减对单晶硅进行电化学腐蚀，得到了折射率随薄膜厚度连续均匀变化的抗反射膜，即黑硅样品. 这种在制取上快速、经济和工艺非常简单的样品，不仅在较宽波段范围内反射率小于5%，且整个薄膜厚度不足1μm. 利用传输矩阵方法对黑硅样品的反射谱进行模拟，得到了理论与实验符合较好的结果.
%K porous silicon
%K refractive index
%K antireflection coating
%K black silicon<br>多孔硅，
%K 折射率，
%K 抗反射膜，
%K 黑硅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=C504002BBA54FE2D0D4C87ADA0A60B3E&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=C4BBAD7A2DCC89BC&eid=AE43DE0664B02889&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=26