%0 Journal Article
%T Grown-in oxygen precipitates in czochralski silicon investigated by transmission electron microscopy<br>直拉硅单晶中原生氧沉淀的透射电镜研究
%A Xu Jin
%A Li Fu-Long
%A Yang De-Ren
%A <br>徐进
%A 李福龙
%A 杨德仁
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 利用透射电镜对掺氮(NCZ) 和普通 (CZ) 直拉硅单晶中的原生氧沉淀进行研究. 研究表明，在NCZ样品中，有高密度的粒径为5nm的氧沉淀生成，而在CZ样品中，没有观察到这种氧沉淀. 初步认为，这种细小的氧沉淀是以650℃低温下形成的N-O复合体为核心在随后的冷却过程中形成.
%K silicon
%K transmission electron microscopy
%K oxygen precipitate<br>直拉硅
%K 透射电镜
%K 氧沉淀
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=1235D4849CF18CA0&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=F70D42BD22FA273A&eid=143027507DE1AB21&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=19