%0 Journal Article
%T Strain in AlInGaN thin films caused by different contents of Al and In studied by Rutherford backscattering/channeling and high resolution X-ray diffraction<br>用卢瑟福背散射/沟道技术及高分辨X射线衍射技术分析不同Al和In含量的AlInGaN薄膜的应变
%A Wang Huan
%A Yao Shu-De
%A Pan Yao-Bo
%A Zhang Guo-Yi
%A <br>王 欢
%A 姚淑德
%A 潘尧波
%A 张国义
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 利用卢瑟福背散射/沟道技术对在蓝宝石衬底上用金属有机化学气相沉积方法生长的有GaN缓冲层(>2μm)的一系列不同Al和In含量的AlInGaN薄膜进行组分及结晶品质的测量；并结合高分辨X射线衍射技术，通过对AlInGaN的对称(0002)面，及非对称(1015)面的θ—2θ扫描及倒空间扫描，可以精确测定AlInGaN外延层的晶格常数及水平和垂直方向的应变.实验结果表明AlInGaN 薄膜中不同含量Al和In对其应变有较大的影响，结合Vegard定理，对这一现象给出了理论的解释.
%K AlInGaN<br>高分辨X射线衍射
%K 卢瑟福背散射/沟道
%K 弹性应变
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=43209629B9CB79FB&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=0D60B631F649BBFD&eid=67B3FB59F3474223&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=12