%0 Journal Article
%T Investigation of the impact of band offset perturbations on the performance of abrupt HBT with heavily doped base<br>基区重掺杂突变HBT带阶的扰动对电流影响研究
%A Zhou Shou-Li
%A Huang Hui
%A Huang Yong-Qing
%A Ren Xiao-Min
%A <br>周守利
%A 黄 辉
%A 黄永清
%A 任晓敏
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 重掺杂禁带变窄效应引起异质结导带、价带带阶的扰动，从而使突变HBT异质结界面势垒的形状和高度发生了变化，这将对电流传输特性产生重要的影响.基于热场发射-扩散模型，对这一现象进行了深入的研究.得到的结论是：异质结界面势垒的扰动引起内建势的变化对电流影响的重要性远大于其引起隧道效应发生区域的变化，这是由于内建势的变化对电流的影响反映在指数项；因此对于突变HBT，精确考虑禁带变窄在导带与价带之间的分布对于器件性能的分析是非常重要的.
%K HBT<br>能带带阶
%K 内建势
%K 隧穿因子
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=CEBCF279EEA007F5&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=94C357A881DFC066&sid=61D405E14A6790AC&eid=9411B3E76DE9D97F&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=13