%0 Journal Article
%T 双δ掺杂In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究
%A 周文政
%A 林 铁
%A 商丽燕
%A 黄志明
%A 朱 博
%A 崔利杰
%A 高宏玲
%A 李东临
%A 郭少令
%A 桂永胜
%A 褚君浩
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 研究了基于InP基的In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应和霍耳效应，通过对纵向磁电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析，获得了各子带电子的浓度，并因此求得了各子带能级相对于费米能级的位置.联立求解Schrdinger方程和Poisson方程，自洽计算了样品的导带形状、载流子浓度分布以及各子带能级和费米能级位置.理论计算和实验结果很好符合.实验和理论计算均表明，势垒层的掺杂电子几乎全部转移到了量子阱中，转移率在95%以上.
%K SdH振荡，
%K 二维电子气，
%K FFT分析，
%K 自洽计算
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=939C4A0D7E4291F0&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=6F4EA96A1A1FAD1E&eid=C7DD05BBEAFBF1EC&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=26