%0 Journal Article
%T α-SiN:H薄膜的光学声子与VO2基Mott相变场效应晶体管的红外吸收特性
%A 陈长虹
%A 黄德修
%A 朱 鹏
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 从器件构成材料中α-SiN:H，VO2，Al薄膜介电常数弥散特性的Lorentz多谐振模型出发，研究了器件在金属表面等离子体与VO2，特别是α-SiN:H薄膜光学声子共同作用下的红外吸收特性；得到了在不同的光谱范围器件的红外吸收特性随着α-SiN: H钝化层几何厚度的变化关系，与中心工作波长10μm对应的且经过位相修正以后钝化层的几何厚度为λ/4n时的红外吸收光谱、以及VO2的相变对吸收光谱的影响.
%K 红外吸收特性，
%K Mott相变，
%K 场效应晶体管，
%K 二氧化钒
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=74063D2C7C557656&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=30A18729E28C2CEC&eid=AED12ECF9316EDF7&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=12