%0 Journal Article
%T Determination of chemical composition and average crystal lattice constants of InGaN/GaN multiple quantum wells<br>InGaN/GaN多量子阱的组分确定和晶格常数计算
%A Ding Zhi-Bo
%A Wang Qi
%A Wang Kun
%A Wang Huan
%A Chen Tian-Xiang
%A Zhang Guo-Yi
%A Yao Shu-De
%A <br>丁志博
%A 王 琦
%A 王 坤
%A 王 欢
%A 陈田祥
%A 张国义
%A 姚淑德
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术以蓝宝石为衬底在n型GaN单晶层上生长了InGaN/GaN多量子阱结构外延薄膜，利用高分辨X射线衍射(HRXRD)，卢瑟福背散射/沟道(RBS/channeling)，以及光致发光(PL)技术对InGaN/GaN多量子阱结构薄膜分别进行了平均晶格常数计算、In原子替位率计算和In组分的定量分析.研究表明：InGaN/GaN多量子阱的水平和垂直方向平均晶格常数分别为aepi=0.3195nm，cepi=0.5198nm，In原子的替位率为99.3%，利用HRXRD和RBS/channeling两种分析技术计算In的组分分别是0.023和0.026，并与样品生长时设定的预期目标相符合，验证了两种实验方法的准确性；而用室温条件下的光致发光谱(PL)来计算InGaN/GaN多量子阱中In的组分是与HRXRD和RBS/channeling的实验结果相差很大，说明用PL测试In组分的方法是不适宜的.
%K InGaN/GaN multiple quantum wells
%K HRXRD
%K Rutherford backscattering/channeling
%K photoluminescence (PL) properties<br>InGaN/GaN多量子阱
%K 高分辨X射线衍射
%K 卢瑟福背散射/道
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=0C01A84F2313172D&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=94C357A881DFC066&sid=6462474D186F62A8&eid=8423D3852F5C1E02&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=15