%0 Journal Article
%T β-Si3N4电子结构和红外和拉曼频率的第一性原理研究
%A 朱应涛
%A 杨传路
%A 王美山
%A 董永绵
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 分别用PW91，B3LYP两种密度泛函方法和全电子高斯基组对β-Si3N4的几何结构进行全优化(包括晶格参数和原子坐标)，结果和实验值符合良好. 同时计算了能带结构和态密度.在此基础上分别用上述两种方法计算了Γ点拉曼振动频率，并按对称性进行分类，将得到的11种拉曼活性模式的频率值与实验值以及其他文献值进行了比较，进一步确定了Ag模式为中等频率，值约459cm-1. 计算结果表明
%K 振动频率，
%K 密度泛函理论，
%K 电子结构，
%K β-Si3N4
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=A65B0E6840F35206136C6172D45B2D7B&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=0B39A22176CE99FB&sid=94D812A784CFA7CC&eid=8CE636FB0B122692&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=31