%0 Journal Article
%T The investigation on the interference phenomenon in electroluminescence spectrum of vertical structured InGaAlN multiple quantum well light-emitting diodes<br>硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管电致发光谱的干涉现象研究
%A Xiong Chuan-Bing
%A Jiang Feng-Yi
%A Wang Li
%A Fang Wen-Qing
%A Mo Chun-Lan
%A <br>熊传兵
%A 江风益
%A 王立
%A 方文卿
%A 莫春兰
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 测试了硅衬底垂直结构芯片在不同空间角度上的电致发光(EL)谱.指出硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管的EL谱中多个峰型来源于干涉现象，而不是来自于多个阱层的发光.干涉峰的疏密反映p型层厚度的一致性，干涉现象的强弱反映p型欧姆接触层反光能力的强弱.芯片法线方向附近发光最强干涉现象最明显，芯片侧边的发光几乎没有干涉现象且发光强度最弱.
%K InGaAlN<br>InGaAlN，
%K 发光二极管，
%K 垂直结构，
%K 电致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=A7C2C6FCE80AE0ED0CF432C716CB7CA5&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=59906B3B2830C2C5&sid=8E9A40702DEA4440&eid=90EB145385E16FAE&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0