%0 Journal Article
%T Dispersion relation model of valence band in strained Si<br>应变Si价带色散关系模型
%A Song Jian-Jun
%A Zhang He-Ming
%A Dai Xian-Ying
%A Hu Hui-Yong
%A Xuan Rong-Xi
%A <br>宋建军
%A 张鹤鸣
%A 戴显英
%A 胡辉勇
%A 宣荣喜
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 基于K.P理论框架,通过引入应变哈密顿微扰项,详细推导并建立了应变Si的价带色散关系模型.所得模型适用于任意晶向弛豫Si1-xGex(0≤x≤0.6)衬底上生长的应变Si,并且,通过该模型可以获取任意K矢方向的应变Si价带结构及空穴有效质量,对器件研究设计可提供有价值的参考.
%K strained Si
%K K
%K P method
%K dispersion relation<br>应变Si
%K K.P理论
%K 色散关系
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=6882888D52CB969E752A7D29E3B05D7E&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=708DD6B15D2464E8&sid=E99EBD8FAF30A914&eid=15D5FF1C99F0D344&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=0