%0 Journal Article
%T The effect of via size on the stress migration of Cu interconnects<br>通孔尺寸对铜互连应力迁移失效的影响
%A Wu Zhen-Yu
%A Yang Yin-Tang
%A Chai Chang-Chun
%A Li Yue-Jin
%A Wang Jia-You
%A Liu Bin
%A <br>吴振宇
%A 杨银堂
%A 柴常春
%A 李跃进
%A 汪家友
%A 刘 彬
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 在200℃温度下进行了700h双层铜互连(M1/M2)的应力迁移加速老化试验, 结合有限元分析和聚焦离子束(focused-ion-beam,简称FIB)技术研究了通孔直径分别为500和350nm的铜互连应力诱生空洞失效现象, 探讨了应力诱生空洞的形成机理, 并分析了通孔尺寸对铜互连应力迁移的影响. 结果表明,M1互连应力和应力梯度在通孔底部边缘处达到极大值. 应力梯度在应力诱生空洞成核过程中起主导作用, 由张应力产生的过剩空位在应力梯度作用下沿Cu M1/SiN界面作扩散运动并在应力梯度极大值处成核生长成空洞. 由于M1互连应力沿横向方向变化较快, 因此应力诱生空洞的横向生长速率较大. 当通孔直径增大时,互连应力和应力梯度值增大, 并导致应力诱生空洞的生长速率上升.
%K Cu interconnect
%K stress migration
%K stress-induced voiding
%K failure<br>铜互连
%K 应力迁移
%K 应力诱生空洞
%K 失效
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=2046B6FD3DD0E59B55E19FC79AE0331B&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=B31275AF3241DB2D&sid=DCCD8D64CE91829B&eid=542FE963A03E8EE9&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=19