%0 Journal Article
%T Research of the Ga and Al double-impurity doping technique for making fast switching thyristor<br>镓铝双质掺杂在制造快速晶闸管中的应用研究
%A Wang Gong-Tang
%A Liu Xiu-Xi
%A <br>王公堂
%A 刘秀喜
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 采用开管式Al乳胶源涂布与气相Ga相结合的技术,实现了镓铝双质在n型Si中的均匀掺杂,得到了p型半导体.研究了镓铝双质掺杂的方法及其与器件性能的关系,并讨论了机理.利用扩展电阻法、四探针和晶闸管测试仪等手段,测试了镓铝扩散Si片的杂质分布规律、薄层电阻RS及快速晶闸管的多项参数.利用该技术制造的快速晶闸管的关断时间toff为31.2—38.6 μs,开通时间ton为4.6—5.9 μs,通态峰值压降
%K fast switching thyristor
%K Ga-Al double-impurity doping technique
%K distribution of impurity concentration<br>快速晶闸管
%K 镓铝双质掺杂技术
%K 杂质浓度分布
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=857140011DF8191D&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=5D311CA918CA9A03&sid=85CBB2032F1A24AB&eid=0AD13B0ED5F2D494&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=10