%0 Journal Article
%T Local structures of Si/Gen/Si(001) hetero-structure films studied by grazing incidence fluorescence X-ray absorption fine structure<br>Si/Gen/Si(001)异质结薄膜的掠入射荧光X射线吸收精细结构研究
%A Pan Zhi-Yun
%A Sun Zhi-Hu
%A Xie Zhi
%A Yan Wen-Sheng
%A Wei Shi-Qiang
%A <br>潘志云
%A 孙治湖
%A 谢 治
%A 闫文盛
%A 韦世强
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 利用掠入射荧光X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了在400℃的温度下分子束外延生长的Si/Gen/Si(001)异质结薄膜(n=1，2，4和8个原子层)中Ge原子的局域环境结构.结果表明，在1至2个Ge原子层(ML)生长厚度的异质结薄膜中，Ge原子的第一近邻配位主要是Si原子.随着Ge原子层厚度增加到4ML，Ge原子的最近邻配位壳层中的Ge-Ge配位的平均配位数增加到1.3.当Ge原子层厚度增加到8ML时，第一配位壳层中的Ge-Ge配位占的比例只有55%.这表明在400℃的生长条件下，Ge原子有很强的迁移到Si覆盖层的能力.随着Ge层厚度从1 增加到2，4和8ML，Ge原子迁移到Si覆盖层的量由0.5ML分别增加到1.5，2.0和3.0ML.认为在覆盖Si过程中Ge原子的迁移主要是通过产生Ge原子表面偏析来降低表面能和Ge层的应变能.
%K XAFS
%K Si/Gen/Si(001) hetero-structure film
%K migration effect<br>XAFS，
%K Si/Gen/Si(001)异质膜，
%K 迁移效应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=377EB6512B92DCFF&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=2FEF1FAF51FFF9F7&eid=4304460BC2F2392A&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=35