%0 Journal Article
%T Optical property of modulated n-doped ZnSe/BeTe type-Ⅱ quantum wells<br>调制n型掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构的发光特性
%A Ji Zi-Wu
%A Mino Hirofumi
%A Kojima Eiji
%A Akimoto Ryoichi
%A Takeyama Shojiro
%A <br>冀子武
%A 三野弘文
%A 小嶋映二
%A 秋本良一
%A 嶽山正二郎
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 报道了调制n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-II QW)在极低温至室温(14—296K)条件下的各种光学性质. 反射光谱显示了对于非掺杂样品，激子(X)的跃迁起着支配作用，而只有在掺杂样品的光谱里展示了一个典型的负的带电激子(X-)的跃迁特征. PL光谱及其直线偏振度Pl都显著地依赖于n型掺杂量和平行于QW生长方向的外加电场. 这个特征被认为是由n型掺杂导致了内秉电场(built
%K 光致发光，
%K 二维电子气，
%K 带电激子，
%K Ⅱ型量子阱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=7D19826DFABC0A28057D6038C4E52159&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=94C357A881DFC066&sid=0E16B5A9B67AFC49&eid=E40E84C3E1578338&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=16