%0 Journal Article
%T Built-in electric field and a new type of charged excitons observed in modulation-doped ZnSe/BeTe type-Ⅱ quantum well<br>调制掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中的内秉电场和新型带电激子
%A Ji Zi-Wu
%A Lu Yun
%A Chen Jin-Xiang
%A Mino Hirofumi
%A Akimoto Ryoichi
%A Takeyama Shojiro
%A <br>冀子武
%A 鲁云
%A 陈锦祥
%A 三野弘文
%A 秋本良一
%A 嶽山正二郎
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 报道了调制掺杂的ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-Ⅱ QW)在低温(2—5 K)条件下的光致发光(PL)，光致发光激发(PLE)和磁性光致发光(magneto-PL)光谱的实验结果.　观察到非掺杂样品的PL有两个很强的主发光峰而掺杂样品只有一个的奇异发光.　PL直线偏振度和PLE的测量结果都表明了这些空间间接型跃迁PL是来自两个异质结界面的贡献，非掺杂样品的两个主发光峰的分离则是起因于QW结构中的内秉电场(built-in electric field).在平行于QW生长方向的强磁场中，
%K 光致发光，
%K 二维电子气，
%K 带电激子，
%K Ⅱ型量子阱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=9AC43C39723365068440202682A136EF&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=0B39A22176CE99FB&sid=4BE5C218638B5C80&eid=F5F3E44D7A429F27&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=24