%0 Journal Article
%T Effects of low-temperature annealing on oxygen precipitate nucleation in heavily arsenic-doped Czochralski silicon<br>低温退火对重掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用
%A Xi Guang-Ping
%A Ma Xiang-Yang
%A Tian Da-Xi
%A Zeng Yu-Heng
%A Gong Long-Fei
%A Yang De-Ren
%A <br>奚光平
%A 马向阳
%A 田达晰
%A 曾俞衡
%A 宫龙飞
%A 杨德仁
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 通过对比研究重掺砷直拉硅片和轻掺n型直拉硅片经过低温(450-800℃)和高温(1000℃)两步退火的氧沉淀行为,阐明了低温退火对重掺掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用.研究指出:重掺砷硅片在450℃和650℃退火时的氧沉淀形核比在800℃退火时更显著,这与轻掺硅片的情况截然相反;此外,与轻掺硅片相比,重掺砷硅片在450℃和650℃退火时氧沉淀的形核得到增强,而在800℃退火时氧沉淀的形核受到抑制.分析认为,重掺砷硅片在450℃和650℃退火时会形成砷-空位-氧(As-V-O)复合体,它们促进了氧沉淀的形核;而在800℃退火时As-V-O复合体不能稳定的存在而缺少氧沉淀形核的前驱体,并且重掺砷会导致硅晶体中的晶格压应力,因此氧沉淀形核被显著地抑制.实验还表明,在重掺砷硅片中掺入氮杂质可以促进低温退火时的氧沉淀形核,这种促进作用在800℃退火时表现得更加明显,这与氮引入的异质形核中心有关.
%K 重掺砷直拉硅片
%K 氧沉淀形核
%K 低温退火
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=364D81790DE74A02AC4FB18D2D4B204C&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=708DD6B15D2464E8&sid=81A693BEE7B88179&eid=6A2C9E50CFC43823&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0