%0 Journal Article
%T φ60,1000 μm Si-PIN Detectors for pulsed γ flux measurement<br>用于脉冲γ强度测量的φ60,1000μm PIN探测器
%A Ouyang Xiao-Ping
%A Li Zhen-Fu
%A Ho Yu-Kun
%A Song Xiang-Cai
%A <br>欧阳晓平
%A 李真富
%A 霍裕昆
%A 宋献才
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 采用电阻率为10000—20000 Ω·cm的高阻单晶硅材料，研制成功灵敏区尺寸为φ60 mm，耗尽层厚度～1000　μm的大面积厚PIN半导体探测器.设计了该类探测器厚度测量专用的反冲质子测量系统，对探测器的时间响应、γ灵敏度、漏电流、γ/n分辨等物理参数进行了测量和分析，结果表明，这类探测器可满足低强度裂变n/γ混合场中脉冲γ强度测量的需要.
%K large area PIN detector
%K current mode
%K semiconductor detector<br>大面积
%K 电流型
%K 半导体探测器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=688940D87EA7679C&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=38B194292C032A66&sid=FBB416F02256D8AA&eid=A621DEC64CBC4DA1&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=6