%0 Journal Article
%T Energy band design for Si/SiGe quantum cascade laser<br>Si/SiGe量子级联激光器的能带设计
%A Lin Gui-Jiang
%A Zhou Zhi-Wen
%A Lai Hong-Kai
%A Li Cheng
%A Chen Song-Yan
%A Yu Jin-Zhong
%A <br>林桂江
%A 周志文
%A 赖虹凯
%A 李 成
%A 陈松岩
%A 余金中
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 详细论述Si/SiGe量子级联激光器的工作原理，通过对比找到一组合适的Si，Ge和SiGe合金的能带参数，进而应用6×6 k·p方法计算了不同阱宽、不同Ge组分Si/Si1-xGex/Si量子阱价带量子化的空穴能级本征值及其色散关系，分析Si/Si1-xGex/Si量子阱空穴态能级间距随阱宽和组分的变化规律，最后应用计算结果讨论了Si/SiGe量子级联激光器有源区的能带设计，有益于优化Si /SiGe量子级联激光器结构.
%K SiGe material
%K quantum cascade laser
%K intersubband transitions
%K k·
%K p method<br>硅锗材料
%K 量子级联激光器
%K 子带跃迁
%K k·p方法
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=9B665AB0EC8AC747&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=ECD93AFA1AA9E157&eid=C295F5A245A0E375&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=16