%0 Journal Article
%T Electroluminescence from Si-rich SiNx/N-rich SiNy multilayer light-emitting devices<br>基于Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜结构电致发光特性研究
%A Huang Rui
%A Dong Heng-Ping
%A Wang Dan-Qing
%A Chen Kun-Ji
%A Ding Hong-Lin
%A Xu Jun
%A Li Wei
%A Ma Zhong-Yuan
%A <br>黄锐
%A 董恒平
%A 王旦清
%A 陈坤基
%A 丁宏林
%A 徐骏
%A 李伟
%A 马忠元
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 利用等离子体增强化学气相沉积法制备了富硅氮化硅/富氮氮化硅多层膜，并以此氮化硅基多层膜作为有源层构建电致发光器件，在室温下观察到了较强的电致可见发光.在此基础上，研究多层膜结构中作为势垒层的富氮氮化硅层对器件电致发光性质的影响，实验结果表明通过改变势垒层的Si/N组分，调制其势垒高度，器件的电致发光效率可得到显著地提高.
%K electroluminescence
%K multilayer
%K silicon nitride<br>电致发光，
%K 多层膜，
%K 氮化硅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=6261B3EB6AE727E025F97223EB48F6E1&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=38B194292C032A66&sid=414605CF9628FD51&eid=7517709248AEED5C&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0