%0 Journal Article
%T Generation of C-NOT gate, swap gate and phase gate based on a two-dimensional ion trap<br>基于二维囚禁离子实现受控非门、交换门和相位门
%A Ai Ling-Yan
%A Yang Jian
%A Zhang Zhi-Ming
%A <br>艾凌艳
%A 杨健
%A 张智明
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 研究了二维闪禁离子与光场相互作用系统中几种基本量子逻辑门的实现方案.通过适当选取激光场与离子内部跃迁频率的失谐量,简化了系统的哈密顿量,并进一步推导出受控非门(C-NOT 门)、交换门与相位门的实现方法.在此过程中,系统需满足Lamb-Dicke极限,并要求光场的Rabi振荡频率远远小于离子的振动频率.
%K trapped ion
%K C-NOT gate
%K swap gate
%K phase gate<br>囚禁离子
%K 受控非门(C-NOT门)
%K 交换门
%K 相位门
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=ABE32469079FF941779758820B56492F&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=B8EC058B46EF91B7&eid=A7EBAF10A4691D23&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=0