%0 Journal Article
%T Effect of p-GaN layer thickness on the performance of p-i-n structure GaN ultraviolet photodetectors<br>p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响
%A Zhou Mei
%A Zhao De-Gang
%A <br>周 梅
%A 赵德刚
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 研究了p-GaN层厚度对GaN基pin结构紫外探测器性能的影响.模拟计算表明：较厚的p-GaN层会减小器件的量子效率，然而同时也会减小器件的暗电流，较薄的p-GaN层会增加器件的量子效率，但是同时也增加了器件的暗电流.进一步的分析表明，金属和p-GaN之间的结电场是出现这种现象的根本原因.在实际的器件设计中，应该根据实际需要选择p型层的厚度.
%K GaN，
%K 紫外探测器，
%K 量子效率，
%K 暗电流
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=86EC1AAF91C6826FFDF9E8524A9274BF&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=9157956928CB1D41&eid=33F5C246939931EF&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=13