%0 Journal Article
%T Research on the current collapse in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors through the inverse piezoelectric polarization model<br>用逆压电极化模型对AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管电流崩塌现象的研究
%A Li Ruo-Fan
%A Yang Rui-Xi
%A Wu Yi-Bin
%A Zhang Zhi-Guo
%A Xu Na-Ying
%A Ma Yong-Qiang
%A <br>李若凡
%A 杨瑞霞
%A 武一宾
%A 张志国
%A 许娜颖
%A 马永强
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 通过自洽求解一维Poisson-Schrdinger方程，模拟了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在工作时等效外电场对AlGaN/GaN异质结沟道处二维电子气(2DEG)浓度的影响.分析了逆压电极化效应的作用，从正-逆压电极化现象出发，提出了逆压电极化模型.计算结果显示：逆压电极化明显影响2DEG性质，当Al组分x=0.3,AlGaN层厚度为20 nm时，不考虑逆压电极化，2DEG浓度为1.53×1013cm-2；当等效外电压分别为10和15V
%K AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，
%K Poisson-Schrdinger方程，
%K 逆压电极化模型，
%K 电流崩塌
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6e709dc38fa1d09a4b578dd0906875b5b44d4d294832bb8e&cid=47ea7cfddebb28e0&jid=29df2cb55ef687e7efa80dfd4b978260&aid=e7b860170f9165b11bfd9f90ee84fb1a&yid=67289aff6305e306&vid=11b4e5cc8cdd3201&iid=e158a972a605785f&sid=35e3926fa8e19da6&eid=1f96ee366efc963f&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=13