%0 Journal Article
%T Effects of neodymium doping on microstructures and ferroelectric properties of bismuth titanate ferroelectric thin films<br>Nd掺杂对Bi4Ti3O12铁电薄膜的微结构和铁电性能的影响
%A Tan Cong-Bing
%A Zhong Xiang-Li
%A Wang Jin-Bin
%A Liao Min
%A Zhou Yi-Chun
%A Pan Wei
%A <br>谭丛兵
%A 钟向丽
%A 王金斌
%A 廖敏
%A 周益春
%A 潘伟
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 利用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了Nd掺杂Bi4Ti3O12(Bi4-xNdxTi3O12, x=0.00,0.30,0.45,0.75,0.85,1.00,1.50)铁电薄膜样品.研究了Nd掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的微结构和铁电性能的影响.研究结果表明:Nd掺杂未改变Bi4Ti3O12薄膜的基本晶体结构.在掺杂量x<0.45时,Nd3+只取代类钙钛矿层中的A位Bi3+.当x=0.45时,样品剩余极化强度达最大值,在270kV·cm-1的电场下为32.7μC·cm-2.掺杂量进一步增加时,结构无序度开始明显增大,Nd3+开始进入(Bi2O2)2+层,削弱其绝缘层和空间电荷库的作用,导致材料剩余极化逐渐下降.当掺杂量x达到1.50时,掺杂离子最终破坏(Bi2O2)2+层的结构,材料发生铁电-顺电相变.
%K Bi4Ti3O12<br>Nd掺杂
%K 拉曼频移
%K 铁电性能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=D0097C0E611F4855&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=549190D469F8E040&eid=A9974C408FB96C9E&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=21