%0 Journal Article
%T Effects of annealing on the photoluminescence of He ion implanted sapphire after 230 MeV Pb ion irradiation<br>退火对He注入及随后208Pb27+辐照的Al2O3单晶PL谱的影响
%A Song Yin
%A Wang Zhi-Guang
%A Wei Kong-Fang
%A Zhang Chong-Hong
%A Liu Chun-Bao
%A Zang Hang
%A Zhou Li-Hong
%A <br>宋 银
%A 王志光
%A 魏孔芳
%A 张崇宏
%A 刘纯宝
%A 臧 航
%A 周丽宏
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 利用高能离子研究了110 keV 的He+注入Al2O3单晶及随后230 MeV的208Pb27+辐照并在不同温度条件下退火样品的光致发光的特性. 从测试结果可以清楚地看到在375 nm，390 nm，413 nm 和450 nm 出现了强烈的发光峰. 经过600 K退火2 h后测试结果显示，390 nm发光峰增强剧烈，而别的发光峰显示不明显. 在900 K退火条件下，390 nm的发光峰开始减弱相反在510 nm出现了较强的发光峰，到1100 K退火完毕后390 nm的发光峰完全消失，而510 nm的发光峰相对增强. 从辐照样品的FTIR谱中看到，波数在460—510 cm-1间的吸收是振动模式，经过离子辐照后，吸收带展宽，随着辐照量的增大，Al2O3振动吸收峰消失，说明Al2O3振动模式被完全破坏. 1000—1300 cm-1之间为Al-O-Al桥氧的伸缩振动模式，辐照后吸收带向高波数方向移动. 退火后的FTIR谱变化不大.
%K heavy ion irradiation
%K Al2O3
%K PL spectra
%K FTIR spectra<br>重离子辐照
%K Al2O3
%K PL谱，
%K FTIR谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=16ECCF08E54360E7&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=CEFF71AEB051114C&eid=AF4A4411BB448A36&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=8