%0 Journal Article
%T Deep level transient spectroscopy studies of Er and Pr implanted GaN films<br>掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究
%A Song Shu-Fang
%A Chen Wei-De
%A Xu Zhen-Jia
%A Xu Xu-Rong
%A <br>宋淑芳
%A 陈维德
%A 许振嘉
%A 徐叙瑢
%J 物理学报
%D 2006
%I 
%X 利用深能级瞬态谱(DLTS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对GaN以及GaN掺Er/Pr的样品进行了 电学和光学特性分析.研究发现未掺杂的GaN样品只在导带下0.270eV处有一个深能级；GaN注 入Er经900℃,30min退火后的样品出现了四个深能级，能级位置位于导带下0.300 eV,0.188 eV,0.600 eV 和0.410 eV；GaN注入Pr经1050℃,30min退火后的样品同样出现了四个深能级 ，能级位置位于导带下0.280 eV,0.190 eV,0.610 eV 和0.390 eV；对每一个深能级的来源 进行了讨论.光谱研究表明，掺Er的GaN样品经900℃,30min退火后，可以观察到Er的1538nm 处的发光，而且对能量输运和发光过程进行了讨论.
%K GaN
%K Er
%K Pr<br>深能级
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=2A0D0BE9AA9FED0D&yid=37904DC365DD7266&vid=E514EE58E0E50ECF&iid=38B194292C032A66&sid=7B26CB38602C6F44&eid=0FA5E3FF9DF9A6BA&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=17