%0 Journal Article
%T Effect of CH4-doping on configuration and dielectric properties of SiCOH low-k films<br>掺CH4的SiCOH低介电常数薄膜结构与介电性能研究
%A Yu Xiao-Zhu
%A Wang Ting-Ting
%A Ye Chao
%A Ning Zhao-Yuan
%A <br>俞笑竹
%A 王婷婷
%A 叶 超
%A 宁兆元
%J 物理学报
%D 2005
%I 
%X 以十甲基环五硅氧烷和甲烷作为反应气体，采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-C VD)方法制备了k = 2.45，485℃下的热稳定性优良的SiCOH低介电常数薄膜.通过薄膜结构的 FTIR谱分析，比较了十甲基环五硅氧烷(D5)液态源和不同甲烷流量下制备的薄膜的键结构差 异，发现在沉积过程中甲烷含量的增大，一方面有利于D5源环结构的保留，另一方面有利于 薄膜中形成高密度的CHn基团.高密度碳氢大分子基团的存在降低了薄膜密度， 结合薄膜中形成的本构孔隙、低极化率Si—C键以及—OH键减少的共同作用，导致薄膜介电 常数的降低.
%K low dielectric constant
%K SiCOH films
%K CH4-doping<br>低介电常数，
%K SiCOH薄膜，
%K 碳氢掺杂
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=5D06F6626BF23D30&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=318E4CC20AED4940&iid=708DD6B15D2464E8&sid=C03B045EE279D1E8&eid=CD66661F782DF2B5&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=10