%0 Journal Article
%T 3UCVD deposition SiO2 on SiC wafer and its C-V measurement<br>碳化硅基上3UCVD淀积二氧化硅及其C-V性能测试
%A Tang Xiao-Yan
%A Zhang Yi-Men
%A Zhang He-Ming
%A Zhang Yu-Ming
%A Dai Xian-Ying
%A Hu Hui-Yong
%A <br>汤晓燕
%A 张义门
%A 张鹤鸣
%A 张玉明
%A 戴显英
%A 胡辉勇
%J 物理学报
%D 2004
%I 
%X 利用 3UCVD技术在p型 4H SiC上制备了栅氧化层 ,其正的氧化物电荷密度仅有 1 6× 1 0 1 1 cm- 2 ,这一结果优于传统的热氧化工艺 .为检验氧化层质量所做的高频C V测试采用了正面接地的新的测试结构 ,克服了常规测试结构的缺点
%K deposition
%K high_frequency
%K C_V
%K measurement
%K silicon dioxide
%K silicon carbide<br>淀积
%K 高频CV测试
%K 二氧化硅
%K 碳化硅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=6AFCDF5CB0FF5190&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=8E6AB9C3EBAAE921&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=F21EC9F5DDD74475&eid=351B4CDE5BA2B595&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=9