%0 Journal Article
%T Theoretical research on critical thickness of HgCdTe epitaxial layers<br>HgCdTe外延薄膜临界厚度的理论分析
%A Wang Qing-Xue
%A Yang Jian-Rong
%A Wei Yan-Feng
%A <br>王庆学
%A 杨建荣
%A 魏彦锋
%J 物理学报
%D 2005
%I 
%X 基于在任意坐标系内应力与应变的关系、晶体弹性理论和位错滑移理论，研究了生长方向分别为［111］和［211］晶向，HgCdTe外延薄膜临界厚度与CdZnTe衬底中Zn组分和HgCdTe外延层中Cd组分的关系. 结果表明，HgCdTe外延薄膜临界厚度依赖于CdZnTe衬底中Zn组分和HgCdTe外延层中Cd组分的变化. 对于厚度为10μm，生长方向为［111］晶向的液相外延HgCdTe薄膜，要确保HgCdTe/CdZnTe无界面失配位错的前提条件，是CdZnTe衬底中Zn组分和HgCdTe外延层中Cd组分的波动必须分别在±0.225‰和±5‰范围内；而对于相同厚度，生长方向为［211］晶向的分子束外延HgCdTe薄膜，CdZnTe衬底中Zn组分和HgCdTe外延层中Cd组分的波动范围分别为±0.2‰和±4‰.
%K HgCdTe/CdZnTe
%K critical thickness
%K dislocation gliding theory
%K misfit dislocation<br>HgCdTe/CdZnTe
%K 临界厚度
%K 位错滑移理论
%K 失配位错
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=F89D25B665AEC5F3&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=318E4CC20AED4940&iid=59906B3B2830C2C5&sid=A5DC7B61BEDAAED9&eid=9A847EDE89ED6B33&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=2&reference_num=14