%0 Journal Article
%T Ab inition studies on the electric and optical properties of Rb2TeW3O12<br>Rb2TeW3O12电子结构及光学性质的第一性原理研究
%A Zhang Yong
%A Tang Chao-Qun
%A Dai Jun
%A <br>张 勇
%A 唐超群
%A 戴 君
%J 物理学报
%D 2005
%I 
%X 采用平面波超软赝势法对Rb2TeW3O12基态的几何结构、能带结构和光学特性等进行了系统的研究.几何结构研究不仅对基态平衡时的几何参量进行了优化计算，还对内部坐 标做了优化，其结果和实验测量值符合得很好.电子结构的研究表明，Rb2TeW3O12 属于宽禁带直接带隙半导体，禁带宽度为223eV，W 5d和O 2p轨道之间强烈杂化形成W— O共价键.计算了光学性质，给出了Rb2TeW3O12的介电函数实部ε1、虚部ε 2及相关光学参量，理论计算的静态介电常数为529
%K Rb2TeW3O12
%K electronic structure
%K dielectric function
%K density functio nal theory<br>Rb2TeW3O12，
%K 电子结构，
%K 介电函数，
%K 密度泛函理论
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=5457BDEA363105E1&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=318E4CC20AED4940&iid=0B39A22176CE99FB&sid=B84F2E0A99FDC89A&eid=3893EBCAC6700388&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=14