%0 Journal Article
%T Computer simulation of a-Si:H/μc-Si:H diphasic silicon solar cells<br>非晶/微晶两相硅薄膜电池的计算机模拟
%A Hao Hui-Ying
%A Kong Guang-Lin
%A Zeng Xiang-Bo
%A Xu Ying
%A Diao Hong-Wei
%A Liao Xian-Bo
%A <br>郝会颖
%A 孔光临
%A 曾湘波
%A 许　颖
%A 刁宏伟
%A 廖显伯
%J 物理学报
%D 2005
%I 
%X 在对不同晶相比硅薄膜的实验研究的基础上，利用有效介质理论估算了这种两相材料的光吸 收系数、迁移率寿命乘积及带隙宽度等参量，计算机模拟了不同结晶比硅薄膜电池的伏安特 性及光谱响应；结果为随着本征层微晶成分的增多，电池的开路电压逐渐减小，短路电流逐 渐增大，本征层的最佳厚度逐渐增大，填充因子有降低的趋势，电池的效率随晶相比的增大 而减小. 电池的光谱响应曲线表明，随晶相比的增大电池的长波响应明显提高. 根据这些模 拟结果，分析讨论了在考虑Lambertian背反射的情况下，非晶/微晶叠层电池的底电池采用 晶相比为40％—50％的两相硅薄膜材料做本征层是最佳选择.
%K diphasic silicon films
%K solar cell
%K computer simulation<br>两相硅薄膜，
%K 太阳能电池，
%K 计算机模拟
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=5D7FE536930D82CE&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=318E4CC20AED4940&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=9E02EB17A33F7B28&eid=F3950C654C36B038&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=15