%0 Journal Article
%T Influence of annealing conditions of ZnO films on the properties of ZnS films pr epared by sulfurizing ZnO films<br>ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响
%A Wang Bao-Yi
%A Zhang Ren-Gang
%A Zhang Hui
%A Wan Dong-Yun
%A Wei Long
%A <br>王宝义
%A 张仁刚
%A 张 辉
%A 万冬云
%A 魏 龙
%J 物理学报
%D 2005
%I 
%X 采用反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜, 然后经过不同条件退火和在H22S气氛中硫化最终得到ZnS薄膜. 用x射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜和UV—VIS分光光度计 对ZnS薄膜样品进行了分析. 结果表明, ZnO薄膜硫化后的晶体结构和光学性质取决于它的退 火条件. 真空和纯O22中退火的ZnO薄膜硫化后只是部分形成六角晶系结构的ZnS . 而在空气 和纯N22中退火的ZnO薄膜则全部转变为ZnS, 在可见光范围内的光透过率
%K ZnS films
%K magnetron sputtering
%K sulfidation of ZnO
%K solar cells<br>ZnS薄膜
%K 磁控溅射
%K ZnO硫化
%K 太阳电池
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=5187B47E3C9EFEAA&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=318E4CC20AED4940&iid=E158A972A605785F&sid=11C933E0BC2B8917&eid=AF251ABCE889FAF8&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=16