%0 Journal Article
%T 2-D threshold voltage model for short-channel MOSFET with quantum-mechanical effects<br>考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型
%A Li Yan-Ping
%A Xu Jing-Ping
%A Chen Wei-Bing
%A Xu Sheng-Guo
%A Ji Feng
%A <br>李艳萍
%A 徐静平
%A 陈卫兵
%A 许胜国
%A 季峰
%J 物理学报
%D 2006
%I 
%X 通过数值方法求解泊松方程和薛定谔方程的自洽解，提出了考虑量子效应时不同于经典理论的阈值条件，并得出了精确的一维阈值电压模型，模拟结果与实验十分符合.在此基础上，基于准二维泊松方程，通过考虑短沟道效应和量子效应，建立了较为精确的适合于小尺寸MOSFET的量子修正阈值电压模型,模型同样适用于(超)深亚微米高k栅介质MOSFET电特性的模拟和结构参数的设计.
%K threshold voltage
%K quantum effects
%K short-channel effects
%K high-k gate dielectric<br>阈值电压
%K 量子效应
%K 短沟道效应
%K 高k栅介质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=AF7B689AB6241EED&yid=37904DC365DD7266&vid=E514EE58E0E50ECF&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=61AB3EAD975F153B&eid=BDC707DB90449563&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=9