%0 Journal Article
%T Calculation of the enhancement factor for the individual conductive nanowire in field emission<br>单根纳米导线场发射增强因子的计算
%A Wang Xin-Qing
%A Wang Miao
%A Li Zhen-Hu
%A Yang Bing
%A Wang Feng-Fei
%A He Pi-Mo
%A Xu Ya-Bo
%A <br>王新庆
%A 王 淼
%A 李振华
%A 杨 兵
%A 王凤飞
%A 何丕模
%A 徐亚伯
%J 物理学报
%D 2005
%I 
%X 利用镜像电荷模型，对静电场中单根纳米导线尖端的电势和电场进行计算，得到纳米导线发射体尖端场增强因子表达式为β０＝h/ρ+35. 若考虑极板间距对场增强因子的影响，则场增强因子的表达式调整为β＝〖SX(〗h〖〗ρ〖SX)〗+35+A〖JB((〗〖SX(〗h〖〗d〖SX)〗〖JB))〗3,其中h，ρ分别为纳米导线的长度和半径，d为极板间距，A为常数. 结果表明纳米导线的长径比对场增强因子的影响最显著，而极板间距对纳米导线的场增强因子只有微弱影响，随极板距离的增加而减小.
%K conductive nanowire
%K field emission
%K enhancement factor
%K anode_cathode distance<br>纳米导线，
%K 场发射，
%K 增强因子，
%K 极板间距
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=EED809DBFFDB0E37&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=318E4CC20AED4940&iid=38B194292C032A66&sid=AFB21040E5F48417&eid=79DED9EDFE509D22&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=3&reference_num=16