%0 Journal Article
%T The effect of nitrogen-implantation on the field-emission properties of CVD diamond films<br>N离子注入对金刚石膜场发射特性的影响
%A 李俊杰
%A 吴汉华
%A 龙北玉
%A 吕宪义
%A 胡超权
%A 金曾孙
%J 物理学报
%D 2005
%I 
%X 不同剂量的N离子被注入到化学气相沉积金刚石膜内，研究了表面结构及场发射特性的变化.Raman谱和x射线光电子能谱分析表明，N离子的注入破坏了金刚石膜表面原有的sp3结构，并在膜内形成大量的sp2 C—C 和sp2 C—N 键.样品的场发射测试显示N离子的注入显著提高了金刚石膜场发射特性，膜的场发射阈值电场从注入前的18 V/μm下降到注入后的4 V/μm.金刚石膜场发射特性的提高归因于N离子注入后膜内sp2 C键含量的增加和体内缺陷带的形成，这些变化能改变膜的表面功函数，提高Feimi能级，降低电子隧穿表面的能量势垒.
%K electron field emission
%K nitrogen-implantation
%K diamond films
%K HFCVD<br>场致电子发射，
%K N离子注入，
%K 金刚石膜，
%K 热丝化学气相沉积
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=DD4520D7771BF037&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=318E4CC20AED4940&iid=38B194292C032A66&sid=6EAE3EAEEC5D0463&eid=3E06550FC0157483&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=3&reference_num=15